Современные модули DDR4 SDRAM, работающие на частоте 2400 МТ/с и напряжении 1,2 В, обычно имеют окна задержки CAS, которые могут вызывать разницу в реальной пропускной способности на 5–12% в зависимос…
Спецификация (datasheet) K4A4G165WF-BCTD содержит таблицы временных и электрических параметров, в которых указаны номинальная скорость передачи данных 2666 МТ/с, диапазон напряжения питания 1,2 В и ем…
The K4A4G165WG-BCWE is a 4Gbit density, x16-organized DDR4 device rated for a 1.2 V supply and published speed grades up to 3200 Mbps, with practical validated operation often targeted in the 2666–320…
K4B4G1646E-BCNB — это высокопроизводительная микросхема памяти DDR3 SDRAM емкостью 4 Гбит, обычно рассчитанная на работу на частотах до DDR3-2133 при номинальном напряжении питания около 1,5 В. В этой…
